功能描述：MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN

制造商：alpha & omega semiconductor inc.

系列：-

零件状态：初步

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：17A（Ta），30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.25V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：32nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1420pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：4.1W（Ta），24W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：8.7 毫欧 @ 17A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-DFN（3x3）

封装/外壳：8-SMD，扁平引线

标准包装：5,000

AOP600

AOP605

AOP607

AOP608

AOP609

AOP610

AOT-0603BL31A-N0-N-3-M

AOT-0603GS31A-ZO-N-3

AOT10B60D

AOT10B65M1